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【欧宝娱乐app】模拟电路设计系列讲座十七:MOSFET初步介绍

 


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本文摘要:一:MOSFET定义1.大家平时看见的MOSFET2.电子工程师眼中的MOSFET3.资深电子工程师眼中的MOSFET4.大师眼中的MOSFET二:MOSFET分类MOSFET按照生产工艺可以分成平面型(Planar)MOSFET以及超级闸极型(Super-Junction)MOSFET。

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一:MOSFET定义1.大家平时看见的MOSFET2.电子工程师眼中的MOSFET3.资深电子工程师眼中的MOSFET4.大师眼中的MOSFET二:MOSFET分类MOSFET按照生产工艺可以分成平面型(Planar)MOSFET以及超级闸极型(Super-Junction)MOSFET。MOSFET世界品牌厂商有Infineon,ST,Onsemi(Fairchild),Toshiba等。

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Infineon只有SJMOSFET,称作CoolMos。Onsemi和Toshiba既有PlanarMOSFET也有SJMOSFET。对于某种程度Rdson以及电压等级的MOSFET,PlanarMOSFET以及SJMOSFET各有自己的特点。

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PlanarMOSFET>水平结构>更大的die尺寸,因此具备较小寄生电容,抗surge能力也比较较强>较高的开关损耗>对于单电源流形(boost,buck,flyback),一般来讲,EMI较好SJMOSFET>横向结构>较小的die尺寸,因此具备较小的寄生电容,较慢的电源速度>较低的开关损耗>Rdson可以做到的更加小,合适用作大功率器件的研发>普遍应用于谐振流形(LLC,LCC...)三:PlanarMOSFET与SJMOSFET寄生电容较为对于同一系列的MOSFET(用于了完全相同的开发技术),Rdson*Qg或者Rdson*Qgd是完全相同或者近似于的。也就是说,对于同一系列的MOSFET而言,如果自由选择了更加小的Rdson,也就意味著适当的Qg和Qgd要较为大,具备更大等效的Ceq,必须较高的驱动能力。下一节将非常简单讲解MOSFET的EMC涉及科学知识以及过热机理。

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通过本公众号可以寻找关于MOSFET的其他文章,还包括MOSFET应用于参数理论编撰以及MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响。


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